td-ScdmA将升级到w-cdmA同样的配置。曙光通讯集团按照规划将按照td-ScdmA、w-cdmA、cdmA2000等三大3G标准，生产拥有自主知识产权的的3G手机，向全球不同地区出售三种技术标准的曙光牌3G手机。诺基亚、爱立信、摩托罗拉、NEc、松下和三星等全球主流手机生产厂家也是采用这种模式。第一代拥有三大3G标准的曙光牌3G手机命名曙光3，第二代3G手机命名为曙光4，第三代3G手机命名曙光4，每代生产蓝色、绿色、粉红色、黑色和白色等五种颜色，供不同性别和年龄的消费者选购，全球统一零售价格4999元或625美元，享受五星客户服务。乔卜斯如今还在为苹果电脑进军美国电脑销量前5位而努力，苹果公司没有进军手机产业的规划，1999年年报显示，总收入60亿美元，净利润6.01亿美元，每股收益1.57美元。随着纳斯达克网络科技泡沫破裂，苹果公司未能幸免，股价从3月最高26.04美元，跌到最低18美元，市值从最高100亿美元跌到69亿美元。苹果公司去年中期分红，实行了1拆3的分红方案，总股本从万多股，变成了万多股；木兰投资公司持有的500万股，变成了1500万股。苹果公司2000年第一季度财报显示，AtIc持有3456万股苹果股票，占股还是9%，第二大股东；马库拉持有4070.4万股，持股比例从11.4%降到10.6%，在高位套现了307万股，还是第一大股东。在孙健的暗示下，向冬萍在12月30日，将木兰投资公司持有的1500万股苹果股票，在25美元全部卖出，获利3.78亿美元，这笔投资收益占到木兰投资公司总资产的近61%。等这轮纳斯达克网络科技股泡沫破裂结束，孙健会建议向冬萍她们购买苹果公司的股票。苹果公司只是孙健手里的一个备胎，也是一个投资品种，对成为苹果公司第一大股东没有兴趣。-------“孙总，我们拿到了商务部同意出口的批文。”5月22日上午，在pGcA半导体公司总经理李昌杰和布罗迪陪同下，考察还在建设中的一条500nm制程工艺生产线的孙健，接到余建国从美国打过来的电话。去年9月，bSEc生产的第一条具有自主知识产权的8英寸晶圆、500nm制程工艺的半导体生产线在pGcA半导体公司开工建设。余建国昨天接到美国商务部的电话，同艾德里安一起乘飞机前往华盛顿，已经提前告诉了孙健。孙健不在美国，书面授权余建国作为GcA董事长和法人的全权代表。“余总辛苦了，我明天带李昌杰和布罗迪过来，同GcA签订正式购买协定。”“好的，孙总！”pENG和GcA董事会3月都已同意，pGcA半导体公司投资20亿美元规划建设一条180nm制程工艺的半导体生产线；4月初，投资16亿美元从GcA购买一条180nm制程工艺的半导体生产线的申请已经交给美国商务部，快3个月了，今天才拿到准许出口的批文。不是美国商务部官员办事拖拉，而是对出口一条180nm制程工艺的半导体生产线给pGcA有些分歧。自从GcA和尼康公司研发的90nm制程工艺的光刻机先后量产，财大气粗的INtEL、Ibm、tI、Amd和hp近水楼台先得月，先后定购了一条价值25亿美元的90nm制程工艺的半导体生产线。一条180nm制程工艺的半导体生产线从22亿美元降到20亿美元，bSEc如今也能量产250nm制程工艺的光刻机，孙健将40台250nm制程工艺光刻机的生产订单交给bSEc。这条180nm制程工艺的半导体生产线规划安装20台GcA生产的180nm制程工艺的光刻机和bSEc生产的40台250nm制程工艺的光刻机，既能节约成本，光刻效果也不受影响。bSEc和GcA都是孙健控股的公司，作为两家公司的法人兼董事长，手掌手背都是肉。去年11月15日，中美两国签订了中国加入世贸组织的双边协定，中国去年的Gdp达到1.19万亿美元，只占美国Gdp的12.1%、日本的24.9%，按照全球经济总量的排名来看，中国位居全球第七，排在意大利之后。美国的头号对手还是全球经济老二的日本，继续打压日本的半导体产业。虽然鲲鹏软件集团在全球软件市场占据20%的市场份额，但还没有对美国软件产业造成实际性的威胁，美国商务部也不容许微软公司垄断美国软件市场。美国曙光投资公司控股的GcA成了同尼康半导体公司并驾齐驱的光刻机龙头企业，研发的90nm制程工艺光刻机已经量产，但在65nm制程工艺上都遇到了无法克服的困难。尼康光刻机研究院和GcA光刻机研究院采用ArF193nm光源，研发一年多，毫无进展。业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm制程工艺，而157nm将成为主流光源技术，但157nm光刻技术同样遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。业界对下一代光刻机的发展提出了两种路线，一是以尼康和佳能等日本光刻机半导体企业，主张开发波长更低的157nm的F2准分子激光做为光源；二是GcA和英特尔发起建立了EUVLLc联盟，采用极紫外光源来提供波长更短的光源。EUVLLc联盟中除了GcA、英特尔和牵头的美国能源部以外，还有摩托罗拉、Amd、Ibm，以及能源部下属三大国家实验室：劳伦斯利弗莫尔国家实验室、桑迪亚国家实验室和劳伦斯伯克利实验室。GcA光刻机半导体研究院院长兼任光刻机光源研究所所长汤普森院士从1993年7月开始研发EUV，GcA前后投资了1.5亿美元，也没有取得成功，1997年7月自动放弃了研究。1997年10月，汤普森院士出面邀请英特尔和美国能源部共同开发EUV。前世，英特尔邀请尼康和ASmL加入EUVLLc联盟，但美国政府反对尼康加入，ASmL做出多重承诺后才得到这个千载难遇的机会，资金到位，技术入场，人才云集，EUVLLc联盟也花了近20年的时间，第一台可量产的ASmLEUV样机才正式发布。